直流±800kV特高压输变电工程等举世瞩目大电网安全稳定控制技术、新型输电技术的推广,大容量电力电子技术的研究和应用,风力发电、太阳能光伏发电等可再生能源发电技术的产业化及规利用具有独特性能的碳化硅作为器件材料,能制造出接近理想功能特性的升压二极管,并适合PFC应用中的各种功率级别。SiC肖特基二极管具有的无反向恢复电荷、反向特性与开关速度、温度和
摘要:针对超高频感应加热电源中存在的输出功率小、寄生参数引起的电压电流冲击严重、开关损耗大等问题,提出基于单向脉冲电路和SiC器件的超高频感应加热电源。该电路采用RLC负载并联碳化硅MOSFET取代硅IGBT是电驱系统发展的必然趋势,预计该市场将在碳化硅MOSFET成熟可靠后全面启动。目前,特斯拉Model 3的电驱系统已采用了ST所提供的碳化硅功率器件,丰田也推出了
虽然硅(Si)二极管通常是这里选择的标准产品,但基于SiC的元件具有显著的优势,尤其是在电压为600V以上时。由于电路应用中的高性能元件总是与脉冲电流一起使用,它们还需要考虑开关损耗公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A100A,1200V/2A90A,1700V/5A80A等系列,产品已经投入批量生产,产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特
第三步:确定额定电流 与电压的情况相似,设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰Vincotech 碳化硅(SiC) MOSFET能够满足1500V太阳能逆变器的高开关速度、高系统效率要求,可实现高集成度和高功率密度,但在开关性能方面仍有不足之处。本文基于SiC MOSFET设计的ANPC
公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A100A,1200V/2A90A,1700V/5A80A等系列,产品已经投入批量生产,产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特功耗仿真很能说明问题,仿真条件为：母线电压1800V,电流等级450A,频率5kHz,这是3.3kV全SiC器件比较
上述这些优异得物理特性,决定了碳化硅在高温、高频率、高功率得应用场合是极为理想得半导体材料。在同样得耐压和电流条件下,SiC器件得漂移区电阻要比硅低200脉冲功率技术半导体碳化硅在伪火花放电高能开关中的应用 西安71OO92. 宁夏大学物理与电气信息学院 银川75OO21) 伪火花放电开关(PSS) 的寿命主要由大电流下的
碳化硅mosfet驱动电路设计要求 1.峰值电流Imax要更大,米勒平台持续时间要减小,提高速开关 2.驱动芯片驱动能力要强 3.用负压关断,因噪声干扰会导致误开通 4.驱动电路寄生电感尽可图13.短时间内施加大量脉冲(f=500kHz)获得的加速条件下,以及上限栅极电压(VGH+18V)和温度(TS150°C)条件下,测量的AC VTH漂移。记录使用不同栅极电压下限时的数据。当使用的栅极电
薄膜电容的作用是作为直流支撑电容器,从DClink端吸收高脉冲电流,保护功率半导体。一般一个功率半导体配一个薄膜电容,新能源车上主要用于电机控制器、OBC上,若一种碳化硅纳米线强流脉冲电子束源阴极 荀涛孙晓亮李公义胡天娇杨汉武刘列张建德 【摘要】:强流电子束源是高功率微波系统的核心部件之一,为满足系统重频、长寿命运行的需求,
漏极电流测试范围:1A200A,分辨率1A栅极驱动:±30V,分辨率0.1V***栅极电流:2A***脉冲电流:200A电源电压(VDD):5V100V,步进0.1V, 100V1200V,步进1.0V。脉冲宽度:0.1us10us,步EN1230A分立器件动态参数测试系统,是针对MOSFET与IGBT分立器件的动态参数如开关特性、栅极电荷、短路特性、二极管的反向恢复特性、结电容等专门设计的一套全自动测试系统,额定测试
由不理想的电路板布局引起的寄生电感,以及碳化硅MOSFET的快速dv/dt和di/dt质量,可能产生电压和电流过冲、开关损耗和系统不稳定性问题。为了避免这些困难,们工程师必须深入了解碳化硅›SiC (碳化硅) MOSFET (77) SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流,可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造较低的电容和栅极电荷。此外,SiC还具有如导通电阻增加量很小
